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主流半导体厂商齐聚汽车市场汽车电子技术持续发展

发布日期:2021-08-07 11:36   来源:未知   阅读:

  中国汽车工业协会(简称,中汽协)在1月13日表示,中国自2020年4开始的汽车市场复苏势头预计将会持续下去,2021年中国汽车市场将会实现恢复性正增长。中国2020年汽车总销量为2531万辆,同比下降1.9%,但中国仍是全球第一大汽车市场。 中汽协还预测中国2021年的汽车总销量将增长4%,达到2630万辆。其中,乘用车市场预计全年销量为2170万辆,同比增长7.5%;商用车市场全年销量约为460万辆,预计同比下滑10%;新能源汽车市场全年销量为180万辆,同比增长40%,远超乘用车市场7.5%的预期增速。 从中汽协的预测中可以看到,新能源汽车市场未来有望迎来持续快速增长,有望从政策驱动向市场驱动转变。

  不论是传统汽车厂商,还是造车新势力们都在大力推动汽车新技术向前发展。比如特斯拉Model推广多年的自动驾驶技术在持续更新中;蔚来近期新推出的首款轿车ET7,不仅具有自动驾驶功能,未来可能还将配备半固态电池让续航里程超过1000公里;现在还在进行的线上CES展上,宝马推出了全新第八代iDrive系统,将模拟技术和数字技术进行了融合,使得车辆能够比驾驶者获得更多信息;奔驰在CES2021上展示了一套由人工智能驱动的全数字、全屏幕信息娱乐系统MBUX Hyperscreen;百度联手吉利汽车,希望将其自动驾驶技术落地…… 看起来汽车电子的需求是在不断增长中的,但是近期的市场消息又让汽车从业者不是很开心。去年12月初,一则“南北大众因‘缺芯’停产”的消息,让汽车行业缺芯的事实被推到了风口浪尖,后来虽然大众相关负责人出来回应称,由于新冠疫情带来的不确定性,影响到了一些特定汽车电子元件的芯片供应,中国市场的全面复苏进一步推动了需求的增长,让情况变得更加严峻,导致一些汽车生产面临中断的风险。但情况并没有市场传言的那么严重,相关车辆的客户交付也没有受到影响。

  据悉,大众随后改变了北美、欧洲和中国工厂的部分汽车生产排期。 其实,汽车业“缺芯”问题在2021年伊始没有缓解,芯片短缺正在迫使全球主要汽车制造商纷纷减产,戴姆勒、日产汽车、本田、福特和菲亚特克莱斯勒等巨头都直接受到影响。 据日媒披露,本田汽车宣布调整生产节奏,削减1月在日本的产量4000辆,主要影响微型汽车“Fit”,有信源称,芯片短缺可能在一季度影响本田的数万辆汽车。 美国方面,福特汽车也受到芯片短缺危机冲击,福特汽车在当地时间1月8日宣布,在美国肯塔基州路易斯维尔的一家SUV组装工厂将停工一周,将原先计划的停工时间提前。菲亚特克莱斯勒将暂时关闭一处加拿大工厂,并将墨西哥工厂Jeep车型的生产进一步推迟至1月底,理由是旨在保持其他北美工厂的运转。 通用汽车表示,目前对产量没有任何影响,但正在寻找防止工厂缺货的方法。即将与菲亚特克莱斯勒合并的法国标致雪铁龙集团(SPA)周五证实其生产并未收到影响。宝马公司称,尽管尚未减少或停止汽车生产,但定期与供应商联系。 还有消息称,日本铃木汽车公司也在改变产量,目前尚无闲置工厂的计划。日本车企斯巴鲁表示,正在处理零件供应方面的延迟,并可能会调整输出计划。日产汽车本月也将减少在日本生产的Note车型产量,据称将从每月生产1.5万辆大幅削减至5000辆。 近期丰田汽车的发言人表示,丰田因全球芯片短缺继续困扰全球汽车生产商而暂停该公司在中国广州工厂的生产线。据日媒报道,此次停产可能导致1月份产量削减至多30%,具体将根据停产持续时间而定。

  一方面是汽车市场对电子元器件的需求在不断增长,另一方面是智能手机等消费类电子市场趋于平缓,因此,汽车电子成为了电子产业关注的下一个热点。从主流半导体厂商的营收中就可以看处来,比如说根据英飞凌2020年Q4的财报显示,其96亿欧元的营收中,有43%是汽车电子贡献的;恩智浦半导体最新的2020年Q3财报中,来自汽车行业的营收为9.64亿美元,占总营收的43%;根据意法半导体Q3的财报,其营收大头是由汽车和分立器件产品部提供的,占了其总体营收的32%.。..。.

  而且,目前各主流半导体厂商都在积极布局汽车电子市场,例如在消费类电子市场呼风唤雨的高通一直都想进入汽车电子市场;台湾的联发科技(MediaTek)在2016年12月初就宣布进入日益成长的汽车电子市场;也有公司为了维护其市场地位,进行了一些战略性并购,像安森美并购了Fairchild,以补足其在中、高压功率器件上的不足;瑞萨则通过收购Intersil巩固其在汽车电子市场的地位;英飞凌通过收购Cypress来强化其汽车市场的地位…… 英飞凌不仅通过收购完善其汽车电子产品线,更是挖来了曾在大陆集团和博世任职多年的曹彦飞来担任英飞凌科技大中华区高级副总裁兼汽车电子事业部负责人操盘英飞凌的中国汽车市场。 曹彦飞在接受《电子发烧友》的采访时表示,英飞凌在汽车市场的战略方向将会围绕三个核心展开,即零排放必然会实现、驾驶员变为乘客、车还是那辆车。

  图:合并Cypress后的英飞凌营收来源占比。(数据来源:英飞凌财报) “零排放必然会实现,其实说的是汽车的电气化;驾驶员变为乘客,主要是围绕智能化、网联化展开;车还是那辆车,可以说是围绕着汽车智能化、网联化或者是舒适性的特点做优化。”他对这三个核心进行了解释,“具体来说,就是在汽车车身、仪表/娱乐信息系统、底盘/安全、动力总成以及高级辅助驾驶/自动驾驶等方面提供更多,更创新的解决方案。目前,英飞凌可以针对不同需求与场景提供不同的产品,并能为客户提供一站式解决方案。” 除了英飞凌的传统强项功率器件,英飞凌在汽车传感器方面,这几年也投入不少。在汽车的自动驾驶中,传感器不可或缺,而且随着自动驾驶程度的提高,需要的传感器数量会越来越多。“取决于各家方案的差异,包括对传感器、深度算法等等自己的理解,可能有不同的方案组合。随着自动驾驶级别的提升,车内半导体含量、BoM成本都在大幅增长,市场潜力巨大。”曹彦飞指出。 自动驾驶会用到的传感器包括雷达、摄像头等传感器的模块。而英飞凌在毫米波雷达这块占有非常重要的地位。曹彦飞自豪地表示,英飞凌是最大的车用77GHz雷达芯片供应商,市场上2/3的77GHz毫米波雷达芯片都来自英飞凌。 同时他还透露,英飞凌接下来将会推出基于28nm工艺的毫米波雷达,甚至还会推出点云成像毫米波雷达产品。

  图:随着自动驾驶程度的提高,需要的传感器数量会越来越多。 安森美在汽车市场的布局很早就开始了,据安森美半导体公司战略、营销及方案工程高级副总裁David Somo透露,“安森美自2010年进入汽车市场以来,到2019年已经出货了1300亿颗芯片给汽车客户。2019年全球每生产的一辆汽车约用到安森美半导体的器件数量超过230颗。” 根据安森美2019年的财报,其55亿美元的收入中,有33%的收入来自汽车行业。David Somo指出,安森美未来还将继续汽车市场的新品开发,加大研发投入力度。“汽车方面,我们将会围绕传感器、自动驾驶相关应用、新能源汽车,以及汽车电动化来推进研发。”他透露说。

  图:安森美半导体的未来汽车整体方案。(来源:安森美) 安森美半导体开发了完整的产品方案组合及各种传感器模式,来支持L4和L5级别自动驾驶汽车,包括超声波传感器接口图像传感器、固态LiDAR和毫米波雷达等技术。 David Somo对《电子发烧友》表示,安森美的毫米波技术来源于对IBM海法研究小组(IBMResearchHaifaLab)的收购,目前安森美已经将该毫米波技术应用在了通信及光纤领域,并计划用于汽车领域,目前正在与客户进行样品评估,还没有用于汽车商用生产。

  在激光雷达方面,技术来源于对sensL的收购,从而获取关于固态激光雷达(LiDAR)方面的技术。据David Somo透露,一开始sensL主要是讲该技术应用在医疗市场,现在经过额外的开发后可以用于汽车市场。“已经有多个客户将我们硅光电倍增管(SiPM)和单光子雪崩二极管(SPAD)技术应用于固态激光雷达系统中,实现了激光雷达在汽车行业的商用,应用于L2+以及L3级别自动驾驶的安全应用中。”他进一步指出。 David Somo指出,在成本方面,由于安森美的激光雷达方案是固态的方案,因此,它能够使激光雷达的成本从过去机械旋转式超过1000美元的成本水平下降到现在固态方案的500美元区间。

  在图像传感器方面,这么多年来,安森美通过对Aptina、Cypress的图像传感技术和Truesense在内的3次收购,让其图像传感器组合更加丰富。 根据恩智浦公布的2020年Q3财报,其汽车行业的收入为9.64亿美元,占总营收的42.5%。在2019年时,其汽车行业的收入占比更高,占了47%。据恩智浦资深副总裁兼首席技术官Lars Reger之前透露,恩智浦在2015年跟飞思卡尔合并之后,就着手了自动驾驶领域的投入,此后还收购了Marvell的蓝牙和WiFi业务,自主研发了包括UWB在内的多种技术。他对《电子发烧友》表示,这些都是为恩智浦开发自动驾驶而做的技术储备。

  图:恩智浦2019年的营收来源占比。(数据来源:恩智浦) 恩智浦正在把其他行业的一些创新思路复制到汽车行业,同时也把汽车行业的用例推广到其他市场。Lars Reger举例说,“比如UWB芯片,我们现在将其引入到汽车电子中以实现对汽车行业应用的创新,现在我们也已经看到UWB的芯片应用在手机端就可以实现更强大的连结功能,包括与汽车、手机以及与钥匙、密钥等系统的融合。“ 在最近的CES 2021线上展会上,恩智浦展示了其新的汽车电子解决方案,包括全新的汽车ADAS解决方案,该解决方案由新型恩智浦雷达处理器和77GHzRFCMOS雷达收发器TEF82xx及其新的S32汽车处理平台的新增产品

  唐晓蕾还指出,目前使用赛灵思产品的L4级别的自动驾驶汽车厂商有Auto X和图森未来(TuSimple)等,还有一些厂商她目前不方便透露,但她相信2021年会有更多搭载赛灵思产品的汽车发布。 除了国外的厂商,其实国内也有不少厂商在进入汽车行业,比如AI独角兽企业地平线已经发布多款车规级AI芯片,1月13日智己汽车发布的高端智能纯电轿车和智能纯电SUV,其智能数字架构选用的就是地平线芯片。 据悉,地平线是目前中国唯一实现大规模前装量产的汽车智能芯片。2020 年地平线已推出了性能更高、功能更加丰富的征程3。2021 年上半年地平线 级别自动驾驶推出业界旗舰级的征程 5 芯片,具备高达 96 TOPS 的人工智能算力,同时支持 16 路摄像头感知计算,性能超越目前世界最领先的量产自动驾驶芯片——特斯拉 FSD。下一步,地平线还会推出性能更为强劲的汽车智能芯片征程 6,采用车规级 7nm 工艺,人工智能算力超过 400 TOPS。 国内不少MCU公司也在进入汽车市场,比如芯旺微已经在汽车市场打拼多年;杰发科技也推出了车规级MCU产品;兆易创新、国民技术等厂商也计划踏足汽车市场…

  总的来说,2021年汽车上用到的电子芯片数量和种类都会增加,相应的创新的方案应该也会增加;另外,将会有更多的新进入汽车市场,比如AI芯片、SiC芯片、5G芯片,以及更多的传感器芯片等等。但2021年,汽车电子市场应该会是一个缺货之年,不论是汽车厂商、Tier 1供应商,还是汽车电子方案商都会继续寻找新的汽车芯片供应商。这对新的汽车电子进入者来说是机遇也是挑战,抓住这个机遇,说不定就能顺势把自己做大做强。

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  LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz

  低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...

  TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

  TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...

  TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

  TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...

  LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

  TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

  TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V< V IT - ≤3.1V= 100mV(典...

  INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

  INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish

  一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

  LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线针TSSOP封装 XOR-tree测试模式

  Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...

  LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度

  针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入

  用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

  AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

  AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...

  OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

  OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV

  PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...

  TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

  TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

  DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

  TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

  TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

  这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

  LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

  TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

  TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) < 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2

  LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号

  严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...